蚀刻是将资料运用化学反响或物理碰击作用而移除的技能。蚀刻技能可分为湿蚀刻和干蚀刻，在湿蚀刻中运用化学溶液，经由化学反响以到达蚀刻的意图，而干蚀刻通常是一种等离子体蚀刻，其作用可能是等离子体碰击芯片外表的物理作用，或许可能是等离子体活性基与芯片外表原子间的化学反响，乃至也可能是两者的复合作用。

　　公司的根本的产品是光阻蚀刻液，是一种电子感光资料，应用在电子线路图形印刻等方面，别的AZ还供给电在答应电压下不导电的资料，光膜资料和硅制品等。

　　氯化铜蚀刻液由氯化铜(CuCl2･2H2O)盐酸(HCl)过氧化氢(H2O2)水(H2O)组成；三氯化铁蚀刻液是由三氯化铁(FeCl３)盐酸(HCl)水(H2O)组成的；碱性蚀刻液的主要成分是有铜氨络离子；硫酸/过氧化氢（双氧水）蚀刻液以硫酸与过氧化氢（双氧水）为主成分。

　　以蚀刻液氯化铜及氯化铁的商场运用情况，PCB厂商约有95%运用氯化铜(CuCl2)，IC载板厂商约80%运用氯化铁(FeCl3)，20%运用氯化铜(CuCl2)

　　在集成电路制作的完好过程中，常需要在晶圆上定义出极纤细尺度的图画，它们的构成能够借由蚀刻技能完结。前期半导体制程中所选用的蚀刻方法为湿蚀刻，主要是借由溶液与待蚀刻原料间的化学反响，因而可借由分配与选取恰当的化学溶液，得到所需的蚀刻速率，以及待蚀刻资料与光阻及基层原料杰出的蚀刻挑选比。可是跟着集成电路中组件尺度越做越小，由于化学反响没有方向性，而湿蚀刻是等向性的，此刻当蚀刻溶液做纵向蚀刻时，侧向的蚀刻将同时发生，从而构成底切现象，导致图画线宽失真。因而湿蚀刻在次微米组件（3微米以下）的制程中已蚀刻所替代。

　　铝或铝合金的湿蚀刻主要是使用磷酸、硝酸、醋酸及水的混合溶液加以进行，典型的份额为80％的磷酸、5％的硝酸、5％的醋酸及10％的水。由硝酸将铝氧化成氧化铝，接着再使用磷酸将氧化铝予以溶解去除Hale Waihona Puke Baidu如此重复进行以到达蚀刻的作用。

　　帆宣公司事务范畴包含：署理出售CMP、光罩等半导体之制程及检测机台与耗材，SOI Wafer，LCD制程及检测设备及资料等；客户托付之设备拼装制作；以及专业之无尘室及机电统包工程，包含规划、装置、收购、工程办理、施工、测验，纯水、气体及化学品供给体系规划履行、废气废水废溶剂处理和监控体系等。

　　帆宣公司企业总部设于台北，全省北中南据点包含新竹、湖口、台中、台南及高雄；海外服务点遍及于中国大陆、新加坡、韩国及美国。

　　安智电子资料有限公司（AZ Electronic Materials）作为业界领头羊，一贯为平板显示器和录音磁头商场供给电子资料，其出资方为喀莱尔集团（Carlyle Group）。

　　AZ EM在50年代第一个开端正光阻蚀刻液的开发，先进的出产和研讨才能，其产品质量引领国际领先水平。以在美国和日本的研讨所为中心在德国、法国建立服务中心，并在美国国内、中国大陆和台湾、韩国建立出产基地，将出售和技能上的支撑中文建立在用户邻近。

　　半导体制程中常见的几种物质的湿蚀刻是硅、二氧化硅、氮化硅及铝。单晶硅与复晶硅的蚀刻通常是使用硝酸与氢氟酸的混合液来进行，此反响是使用硝酸将硅外表氧化成二氧化硅，再使用氢氟酸将构成的二氧化硅溶剂去除，反响如下：

　　主要由双氧水和盐酸构成构成的过氯酸来腐蚀铬，由于各厂家技能要求目标不同，所以其间相关化学成分的配比也不一样。（由HCLO4Ce(NH4)2(NO3)6H2O组成反响物质）

　　帆宣体系科技股份有限公司于1988年由高新明董事长暨履行长所创建。建立以来，一贯专心于半导体、平面显示器设备及耗材署理，厂务体系TURNKEY服务等事务；近年来帆宣公司更进一步跨入LED、OLED等光电制程设备与技能开发，并进入微机电及生技等工业，朝多元化方向开展。

　　蚀刻液主要有氯化铜液、三氯化铁液、碱性蚀刻液、硫酸/过氧化氢（双氧水）系蚀刻液。