1. 第一代半导体资料，以硅（Si）、锗（Ge）为主，当时美国独占4N8以上高纯石英砂出产（占比90%以上），日本、德国独占半导体硅片出产（占比70%以上），我国独占锗出产（占比70%），储量看：可加工成4N8以上高纯石英砂质料矿美国占比约95%，锗储量美国占45%、我国占41%；

　　2. 第二代半导体资料，首要有砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，砷化镓耗费镓量约占镓全体耗费量的10%，我国粗镓产值约占80%以上，美国、加拿大、日本精镓产值约占90%以上，我国砷化镓晶圆约占30%以上；全球镓储量约27.93万吨，其间我国约19万吨、非洲5.39万吨、欧洲1.95万吨、南美洲1.14万吨、美国0.45万吨；磷化铟我国、美国、欧洲占了重要市场比例；

　　3. 第三代半导体资料，首要有碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和氧化锌（ZnO），美国碳化硅产值约占70%，我国氮化镓产值占80%以上，我国氧化锌产值占60%以上；

　　4. 第四代半导体资料，首要有氧化镓（Ga2O3）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）、氮化硼（BN）、锑化镓(GaSb)和锑化铟(InSb)，美国氧化镓产值占70%以上，半导体级金刚石占比90%以上，氮化铝日本、我国占了重要比例，氮化硼美国、韩国、澳大利亚占了重要比例，锑化镓与锑化铟我国占了重要比例，到2022年全球锑储量仅180万吨，其间我国储量35万吨，2022年全球锑资源产值为11万吨，其间我国产值为6万吨，但锑归于干涸型资源。