感光芯片是芯片的一个重要分支，传统意义的感光芯片用于数码摄像头的重要组成部分，根据元件不同分为：而是摄像机的光电转换器材。随技术升级，摄像技术除日常摄影外，目前已经大范围的应用于车载，医疗、工业制造、移动

　　CIS芯片即CMOS图像传感器芯片。受市场趋于饱和的影响，近两年全球智能手机需求量呈现下滑态势，为提高竞争力，手机生产厂商逐步的提升手机配置，摄像头成为升级重点，三摄、四摄手机比例不断攀升，CIS芯片需求依然强劲。2020年，在新型冠状病毒肺炎疫情影响下，全地球手机销量下滑幅度较大，但手机行业对CIS芯片的需求仍保持增长态势，叠加汽车智能化水准不断提高、安防监控覆益率不断的提高，全球CIS芯片行业发展势头良好。

　　8英寸CIS芯片生产线项目，在华微电子八英寸厂房内完善相关动力设施并购置必要的工艺及公用设备，实现年产8英寸CIS芯片2.4万片产能。基于华微电子功率器件八英寸生产线万片基础之上，投资8.5亿元。

　　CIS芯片是摄像头组件中技术上的含金量高、价值占比大的关键性部件，例如在手机摄像头中，CIS芯片价值占比达到45%以上。2016-2019年，全球CIS芯片市场年均复合增长率为9.6%，2019年市场规模达到167.9亿美元。预计未来3年，全球CIS芯片市场仍将保持9%以上的增速增长，到2024年市场规模将达到258.6亿元左右。

　　根据Yole咨询公司2020年一季度发布的报告。整体CIS全球市场增长趋势如下：CIS市场已连续20年保持增长状态，目前能预见到2025年前CIS全球市场仍然呈现明显增长态势，2019年市场需求为193亿美元，2025年市场需求预测277亿美元。考虑到中国市场的国际产品替代，中国市场的需求量将明显大于全球市场的增长。

　　在全球市场中，CIS芯片供应商主要有索尼、三星、豪威、格科微、海力士、安森美、STM等，以中日韩企业为主。其中，日本索尼全球市场占有率占比达到47%，韩国三星市场占有率占比为20%，中国豪威市场占有率占比为8%，排名前三企业合计市场占有率占比达到75%。在手机摄像头领域，4800万像素慢慢的变成了旗舰手机的主流配置，全球拥有4800万像素CIS芯片供应能力的企业仅有索尼、三星、豪威三家厂商，全球CIS芯片市场集中度高。

　　高端CIS芯片技术壁垒高，无法快速扩产，全球产能较为稳定，受手机、汽车、安防等领域对摄像头需求迅速增加的影响，2019年下半年以来，全球CIS芯片市场供应紧张，价格不断上涨。2020年9月份，有突出贡献的公司索尼CIS芯片工厂受到台风影响，停工歇业，虽然时间比较短，但仍对全球CIS芯片市场供应进一步造成不利影响。未来，为提升竞争力，四摄及以上摄像头手机比例将继续攀升，安全城市、智慧城市建设速度将继续加快，汽车智能化发展成为趋势，叠加可穿戴智能设备市场加快速度进行发展，全球CIS芯片需求将继续保持快速上升态势，CIS芯片行业发展前途广阔。

　　该项目技术以华微电子现有工艺平台作为基础，主要生产工艺流程很复杂，具体工序由清洗、扩散、离子注入、刻蚀、光刻、显影、CVD、PVD、CMP、金属化、测试等基本工序重复多次组成（最多可达到上千余步）。

　　吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片制造、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业。是国家创新型企业、国家企业技术中心、CNAS国家认可实验室、国家博士后科研工作站、国内功率半导体器件行业领军企业。公司于2001年3月在上海证券交易所主板A股上市，总股本96029.53万股，为国内功率半导体器件领域首家上市公司。

　　61亿元，员工2000余人，拥有4英寸、5英寸、6英寸与8英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力每年500万片，封装资源每年24亿只，模块每年1800万块。企业具有百余项专利，核心技术国内领先，达到国际同行业领先水平。目前以IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等新型功率半导体器件为营销主线的系列新产品，覆盖了功率半导体器件的全部范围，大范围的应用于新能源汽车、光伏、变频、工业控制、消费类电子等战略性新兴领域，是松下、日立、海信、创维、长虹等国内外有名的公司的配套供应商。

　　华微电子为国内功率器件制造企业，在功率器件的产品设计和工艺技术都达到了国内领先水平，相应技术优势较明显。

　　在产品设计水平上，目前在六英寸线上生产的IGBT产品，采用目前国际上最先进的沟槽栅技术和场终止技术，采用这一技术的国际厂家有英飞凌、IR、三菱、ST等著名的厂家。公司采用这一技术的IGBT产品在性能上能完全达到以上国际著名厂家的水平。

　　IGBT产品其沟槽的深度为5-7µm，芯片厚度最薄为75µm。华微电子6英寸线就已经实现了这一水平加工和制造，产品合格率水平达到了90%以上，产品已经批量生产和系列化。

　　华微电子Trench MOSFET产品无论从产品设计和工艺技术、封装技术都达到了国际先进和国内领先水平。

　　在产品设计水平上，目前在六英寸线上生产的Trench MOSFET产品，采用目前国际上最先进的CCT(Charge Couple Trench)电荷耦合沟槽技术，目前采用这一技术的国际厂家有英飞凌、AOS、ON Semiconductor、ST等著名的厂家。我司采用这一技术的MOSFET产品在性能上完全达到以上国际著名厂家的水平。

　　在产品的工艺技术上，影响产品关键性能的沟槽刻蚀技术和Gate栅深度控制技术等技术方面，目前国际上最先进的MOSFET产品其沟槽深度为4~5um，Gate栅深度为1.5um。公司6英寸线就已经实现了这一加工制造水平，产品已经批量和系列化。

　　在封装技术上，影响产品关键性能的是源极压线工艺和封装热阻控制技术，目前国际上领先的封装为多条铜线、铝带压线、多条铝线压线等技术来降低Rdson，同时降低产品热阻。公司封装技术已达到了这一加工水平。

　　CIS芯片的生产制造流程与功率器件生产制程工艺基本一致，这样就保证了产品在流片过程中所需要的制程条件的稳定性，也为批量流片制造提供了前提。

　　华微电子多年来一直重视产品研究开发和技术创新工作，公司成立了研发机构——国家级技术中心，通过开展各项研究开发和技术创新工作，技术中心为公司培养了大量的技术人才，目前技术中心已拥有各类技术人员600余人。

　　公司通过自主创新与对外合作相结合的方式来进行产品研究开发。并与国内微电子领域知名的高校、研究所、及大规模的公司开展战略合作。早在2006年6月，公司就与韩国公司成立起了技术开发合作平台，与吉林大学、北京工业大学、北京微电子技术研究所、中国电子科技集团第46所研究所等展开技术合作，并达成战略合作伙伴关系，进行长期技术交流合作。

　　公司通过积极引进先进的技术与标准，广泛地开展产学研等技术交流与合作，建立了研发技术与技术标准相结合的管理机制，注重先进的技术的运用、消化和吸收，并逐步在FRED、IGBT、SBD VDMOS等产品研究开发中推广运用，公司的技术实力也得到了显著提高，同时为公司培养了大量的技术管理人才。

　　华微电子拥有广泛的销售网络和长期稳定的大客户基础，多年来一直与这些厂商保持着密切的合作伙伴关系。本项目可以国内现有的功率器件客户为契机，充分的利用公司现在存在市场资源和市场网络，借助品牌优势，以公司已成熟市场为切入点，以较快的速度抢先成为国内CIS的主供货商，然后进一步拓展产品应用领域进入其它行业。

　　在华微电子八英寸厂房内完善相关动力设施并购置必要的工艺及公用设备，实现年产8英寸CIS芯片2.4万片产能。

　　万片功率器件和2.4万片CMOS感光芯片，达产后可实现年出售的收益12亿元，年净利润666万元，年利税总额4,918万元，不考虑建设期的投资回收期10年。1.4.2

　　本项目建设可以用高科技产业带动地方经济和地区产业链的发展，对于促进当地产业体系的调整、促进地区经济可持续发展、促进地区就业发挥及其重要的作用。