本发明公开了一种铜蚀刻液及其制备办法,所述铜蚀刻液是含有质量浓度10g/L～15g/L的亚氯酸钠、质量浓度50g/L～70g/L的碳酸氢铵和体积浓度10mL/L～60mL/L的氨水的水溶液；该铜蚀刻液的制备办法有过程:A、在蚀刻液槽中参加预定量的水；B、向其间参加预定量的亚氯酸钠和碳酸氢铵,并充沛溶解；及C、向过程B得到的溶液中参加预定量的氨水,混合均匀得到所述铜蚀刻液。本发明还公开了该铜蚀刻液蚀刻铜的办法及其在半导体和微机电体系的制作及封装中的使用,该铜蚀刻液蚀刻铜的办法为将蚀刻目标物与所述铜蚀刻液触摸。所述铜蚀刻液克服了干法蚀刻及其他蚀刻液蚀刻铜存在的问题。

　　1.一种铜蚀刻液，其特征是，所述铜蚀刻液是含有亚氯酸钠、碳酸氢铵和氨水的水溶液，其间，在所述铜蚀刻液中，所述亚氯酸钠的质量浓度为10g/L～15g/L，所述碳酸氢铵的质量浓度为50g/L～70g/L，所述氨水的体积浓度为10mL/L～60mL/L，其他为水。

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