1.一种蚀刻液添加剂，其特征是，按质量百分比计，所述蚀刻液添加剂的原料包括以

　　其中，所述唑类化合物为苯并三氮唑、1‑羟甲基苯并三氮唑、1‑苯并三氮唑‑甲基丙烯

　　酸甲酯以及聚(1‑苯并三氮唑‑甲基丙烯酸甲酯‑丙烯酸甲酯)中的一种或多种，所述有机酸

　　为柠檬酸、乙酸、磺酸、亚磺酸以及硫羧酸中的一种或多种，所述二价铜盐为硫酸铜、硝酸铜

　　2.一种蚀刻液，其特征是，包括权利要求1所述的蚀刻液添加剂、微蚀刻体系以及第

　　3.根据权利要求2所述的蚀刻液，其特征是，所述微蚀刻体系为体系A或体系B：

　　体系A包含硫酸以及过硫酸盐；包括所述体系A的蚀刻液中，硫酸根离子的物质的量浓

　　体系B包含硫酸以及过氧化氢；包括所述体系B的蚀刻液中，硫酸根离子的物质的量浓

　　对太阳能电池喷洒权利要求2或3所述的蚀刻液，进行蚀刻处理，并控制蚀刻处理的温

　　其中，所述太阳能电池的表面还包括铜栅线，所述籽铜层位于相邻两根所述铜栅线所述的蚀刻工艺，其特征是，所述蚀刻处理的时间为0.5min～

　　7.根据权利要求5所述的蚀刻工艺，其特征是，所述太阳能电池的透明导电氧化物薄

　　8.根据权利要求7所述的蚀刻工艺，其特征是，所述太阳能电池的透明导电氧化物薄

　　膜层的材质为氧化铟锡，且氧化铟锡中锡元素与铟元素的质量比为1:(15～40)。

　　9.根据权利要求5所述的蚀刻工艺，其特征是，进行所述蚀刻处理时，还包括同时进

　　其中，所述气体吹扫处理的吹扫速率为2m/s～4m/s，吹扫气体选自空气、氮气以及氩气

　　中的一种或多种；所述真空抽气处理采用的线任一项所述的蚀刻工艺，其特征是，所述蚀刻工艺还包括以下

　　其中，采用电阻率＞0.5MΩ·cm的纯水进行所述湿润处理，且所述湿润处理在所述蚀

　　所述水洗处理在所述蚀刻处理之后进行，所述水洗处理的温度为30℃～60℃；和/或

　　所述烘干处理在所述蚀刻处理之后进行，所述烘干处理的温度为50℃～190℃。

　　本发明涉及材料加工技术领域，特别是涉及蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、蚀刻

　　太阳能电池的制备中，采用物理气相沉积(PVD)技术在透明导电氧化物薄膜(TCO)

　　表面进行籽铜沉积时，往往会覆盖所有TCO区域，对此，需要蚀刻去除铜栅线]

　　传统的蚀刻工艺中，往往采用过硫酸体系(过硫酸盐+硫酸，或过氧化氢+硫酸)作

　　为蚀刻液，并辅以槽式蚀刻方式对PVD籽铜进行蚀刻。然而，传统的过硫酸蚀刻液体系存在

　　溶铜能力会比较低的问题，因此对蚀刻温度有一定的要求，但过高的温度会导致蚀刻速率不可

　　控，因此有可能会出现过蚀现象，特别是易引起侧蚀，减小铜栅线的宽度；此外，过高的温度还

　　会蚀刻液的稳定性变差、组分比例失调，氧化剂消耗量巨大，因此常常要一直补加氧化剂

　　成本较高。且槽式蚀刻往往存在被浸润表面的蚀刻速率不一致、蚀刻不均匀等问题。

　　基于此，有必要提供一种蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、蚀刻工艺，该蚀刻液添

　　加剂能有效控制过硫酸蚀刻液体系的蚀刻能力和蚀刻速度，使得蚀刻可以在较低的温度下

　　本发明的一个方面，提供了一种蚀刻液添加剂，按质量百分比计，所述蚀刻液添加

　　其中，所述唑类化合物为苯并三氮唑、1‑羟甲基苯并三氮唑、1‑苯并三氮唑‑甲基

　　丙烯酸甲酯以及聚(1‑苯并三氮唑‑甲基丙烯酸甲酯‑丙烯酸甲酯)中的一种或多种，所述有

　　机酸为柠檬酸、乙酸、磺酸、亚磺酸以及硫羧酸中的一种或多种，所述二价铜盐为硫酸铜、硝

　　本发明的另一方面，还提供了一种蚀刻液，其包括前述的蚀刻液添加剂、微蚀刻体

　　体系A包含硫酸以及过硫酸盐；包括所述体系A的蚀刻液中，硫酸根离子的物质的

　　体系B包含硫酸以及过氧化氢；包括所述体系B的蚀刻液中，硫酸根离子的物质的

　　其中，所述气体吹扫处理的吹扫速率为2m/s～4m/s，所述气体选自空气、氮气以及

　　在一些实施方式中，采用电阻率＞0.5MΩ·cm的纯水进行所述湿润处理，且所述

　　盐，制得了性能优越的蚀刻液添加剂，该蚀刻液添加剂用于蚀刻液中时，能有效对金属铜的

　　蚀刻速度来控制，不易造成过蚀、侧蚀等不良现象，且使得蚀刻可以在较低温度下进行，

　　不会对蚀刻液的溶铜能力和稳定能力造成影响，能有效提升金属铜蚀刻的品质，并降低生产

　　成过度蚀刻，且克服了传统技术中过硫酸蚀刻体系需要高频率补加氧化剂的缺陷，简化了

　　除籽铜的同时，不易对电池表面的铜栅线造成侧蚀，且对籽铜下层的透明导电氧化物薄膜

　　层不会造成过度损伤，有很大成效避免了传统技术中蚀刻后对电池性能造成的不利影响。此外，通

　　过水平蚀刻工艺，较传统的槽式蚀刻工艺而言，蚀刻更均匀，蚀刻液与电池片的接触时间更

　　图2为实施例1制得的电池成品的ITO膜(蚀刻后)和未经任何处理的ITO膜(蚀刻

　　图3为实施例1制得的电池成品的ITO膜(蚀刻后)和未经任何处理的ITO膜(蚀刻

　　给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所

　　描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻

　　此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性

　　或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者

　　隐含地包括至少一个该特征。在发明的描述中，“多种”的含义是至少两种，例如两种，三种

　　等，除非另有明确具体的限定。在本发明的描述中，“若干”的含义是至少一个，例如一个，两

　　技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书里面所使用的术语仅仅是为了描述具

　　体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相

　　本发明中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，

　　本发明中，涉及到数值区间，如无特别说明，上述数值区间内视为连续，且包括该

　　范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指

　　整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征

　　或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之所有范围应理解

　　本发明中涉及的百分比含量，如无特别说明，对于固液混合和固相‑固相混合均指

　　本发明中涉及的百分比浓度，如无特别说明，均指终浓度。所述终浓度，指添加成

　　本发明中的温度参数，如无特别限定，既允许为恒温处理，也允许在一定温度区间

　　本发明的一个方面，提供了一种蚀刻液添加剂，按质量百分比计，蚀刻液添加剂的

　　其中，唑类化合物为苯并三氮唑、1‑羟甲基苯并三氮唑、1‑苯并三氮唑‑甲基丙烯

　　酸甲酯以及聚(1‑苯并三氮唑‑甲基丙烯酸甲酯‑丙烯酸甲酯)中的一种或多种，有机酸为柠

　　檬酸、柠檬酸、乙酸、磺酸、亚磺酸以及硫羧酸中的一种或多种，二价铜盐为硫酸铜、硝酸铜

　　唑类化合物，如苯并三氮唑，具有大π键和孤对电子，因此容易吸附在各种金属或

　　合金表面上，特别是与铜原子能形成共价键和配位键，形成一层保护膜，能有效缓解对金

　　属铜的蚀刻；同时，补充柠檬酸等有机酸，能够维持蚀刻液中的氢离子浓度，且引入二价铜

　　盐，能够电离出二价铜离子，作为过硫酸蚀刻体系的催化剂，这二者使得即使是新配置的蚀

　　刻液也能具备较稳定且较高的蚀刻速率，避免唑类化合物的加入对溶铜能力造成过多的抑

　　制，三者按照合适的比例协同作用，能有效提升蚀刻液的均匀性、稳定性和高效性，控制蚀

　　刻速度在合适范围内，且使得蚀刻可以在较低温度下进行，不会对蚀刻液的溶铜能力和稳