1.一种蚀刻液，其特征是，包括如下组分：无机酸、氧化剂、铜缓蚀剂、助溶剂与水；

　　所述有机羧酸的分子式为R‑COOH，R为具有2至5个C原子并且被2至4个羟基取代的烃

　　2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征是，以重量份数计，所述蚀刻液包括如下组

　　分：10份～200份的无机酸、5份～100份的氧化剂、1份～20份的铜缓蚀剂、10份～100份的助

　　3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征是，所述铜缓蚀剂中，所述含有苯磺酰胺基

　　4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征是，所述含有苯磺酰胺基团的化合物选自4‑

　　羟基苯磺酰胺、3‑氨基苯磺酰胺与4‑氨基‑N‑甲基苯磺酰胺中的一种或多种。

　　5.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征是，所述有机羧酸选自2,2‑二羟基乙酸、3,

　　3‑二羟基丙酸、2,3‑二羟基丙酸、3,4‑二羟基丁酸、4,4‑二羟基丁酸、2,4‑二羟基丁酸、5,5‑

　　二羟基戊酸、4,5‑二羟基戊酸、3,3‑二羟基戊酸、2,3,4‑三羟基丁酸、2,2,4‑三羟基丁酸、2,

　　6.根据权利要求1～5任一项所述的蚀刻液，其特征是，所述无机酸选自硫酸、硝酸、

　　7.根据权利要求1～5任一项所述的蚀刻液，其特征是，所述氧化剂选自过硫酸钠、间

　　8.根据权利要求1～5任一项所述的蚀刻液，其特征是，所述助溶剂选自1，2‑丙二醇、

　　9.一种权利要求1～8任一项所述的蚀刻液的制备方法，其特征是，包括如下步骤：将

　　本发明涉及PCB和芯片封装技术领域，特别是涉及一种蚀刻液及其制备方法与应

　　在PCB和芯片封装领域中，镍层在不同的位置中，起着不同的作用。如图1所示，如

　　果是作为种子层，可以对非金属的基材起到金属化的过程；如果是作为阻挡层，可以对两种

　　靠近的金属起到防扩散的作用；如果是抗蚀层，可以对下面有图形的金属起到保护的作用。

　　影、线路蚀刻、退膜，再压合一层介电层，最终利用铜蚀刻和镍蚀刻的工艺，形成带有图形的

　　介电层。其中，镍蚀刻的工艺中需要一种低铜腐蚀的镍蚀刻液，既要保证作为抗蚀层的镍层

　　当镍层作为种子层时，通常先在基材EMC上化镀种子镍层，再电镀铜层，然后经历

　　曝光、显影、线路蚀刻、退膜等工艺，最后经过镍蚀刻这道工艺，形成所需要的带图形的产

　　品，但是作为种子层的镍在化镀的过程中由于结合力的作用，极大可能会渗透到作为基材

　　的EMC中，所以具有较高的镍蚀刻速率，而同时不能对上面的线路不能有太大的腐蚀，因此

　　酸钠等对镍层进行溶解。其中，硫酸腐蚀性比较强，对镍和铜的溶解力强，不易控制；过硫酸

　　钠的稳定性不好，易分解受潮，退镀不稳定，对基材铜的表面伤害也很大，尤其是对于线路

　　很细、基材铜又很薄的线路板来说，根本不适用，往往镍退尽了，而线路上的细铜线也断了；

　　硫酸与磷酸体系虽然具有不错的镍蚀刻速率，但同样对铜无法保护，而且磷酸中的磷元素

　　对环境会产生较严重的污染。传统的碱性退镀液往往存在碱浓度大与使用温度高的特征，

　　导致线路板的油墨与阻焊膜无法经受碱性退镀液的侵蚀。此外，采用高浓度的强酸性和强

　　碱性退镍方法还会带来环境污染的问题。传统采用的三氯化铁镍蚀刻液的蚀刻速率太快，

　　导致没办法保证镍层下面所保护的金属铜不被腐蚀，而且还会在蚀刻体系中引入铁离子和卤

　　基于此，本发明提供了一种蚀刻液，其高效、稳定性很高且反应条件温和，对铜腐蚀

　　所述有机羧酸的分子式为R‑COOH，R为具有2至5个C原子并且被2至4个羟基取代的

　　在其中一个实施例中，以重量份数计，所述蚀刻液包括如下组分：10份～200份的

　　无机酸、5份～100份的氧化剂、1份～20份的铜缓蚀剂、10份～100份的助溶剂与480份～980

　　在其中一个实施例中，所述含有苯磺酰胺基团的化合物选自4‑羟基苯磺酰胺、3‑

　　在其中一个实施例中，所述有机羧酸选自2,2‑二羟基乙酸、3,3‑二羟基丙酸、2,3‑

　　二羟基丙酸、3,4‑二羟基丁酸、4,4‑二羟基丁酸、2,4‑二羟基丁酸、5,5‑二羟基戊酸、4,5‑二

　　羟基戊酸、3,3‑二羟基戊酸、2,3,4‑三羟基丁酸、2,2,4‑三羟基丁酸、2,3,4‑三羟基戊酸、3,

　　在其中一个实施例中，所述无机酸选自硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸与磷酸中的一种

　　在其中一个实施例中，所述氧化剂选自过硫酸钠、间氯过氧苯甲酸、过氧化氢、叔

　　在其中一个实施例中，所述助溶剂选自1，2‑丙二醇、丙三醇、单乙醇胺、二乙醇胺

　　本发明的具有无机酸体系的镍蚀刻液具有较大的蚀刻系数，可以高效地蚀刻PCB

　　制造和芯片封装工艺中镍金属阻挡层、抗蚀层和种子层。在氧化剂的作用下，可以在常温的

　　条件下快速腐蚀镍金属，并且有效清除表面的金属残渣，降低生产的效率和成本。同时，有

　　机羧酸和含苯磺酰胺基团的化合物作为铜缓蚀剂很大程度上降低了金属铜的腐蚀，还可以

　　协同加速金属镍的蚀刻，并且含有多羟基的羧酸能增加含苯磺酰胺基团化合物等有机物

　　象，能够保证线路的完整性，避免了金属铜资源的浪费。此外，本发明的蚀刻液使用方法简

　　单，在应用过程中，仅需将含镍的材料浸入在蚀刻液中即可，蚀刻时间短，作用效果好，且对

　　进一步地，本发明的蚀刻液制备简单，操作简单便捷，生产效率高，可节约时间和能耗，

　　给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文

　　所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容的理解更

　　技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书里面所使用的术语仅仅是为了描述具

　　体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个

　　在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，意图是在于覆盖不排他的

　　包含，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由……组成”等，否则还能添加另一部件。

　　在本发明中，至少一种指一种，或多种的混合。例如，所述铜缓蚀剂选自4‑羟基苯

　　磺酰胺、3‑氨基苯磺酰胺中的至少一种，包括：所述铜缓蚀剂为4‑羟基苯磺酰胺，或所述铜

　　缓蚀剂为3‑氨基苯磺酰胺，以及所述铜缓蚀剂为4‑羟基苯磺酰胺和3‑氨基苯磺酰胺的混合

　　本发明提供了一种蚀刻液，包括如下组分：无机酸、氧化剂、铜缓蚀剂、助溶剂与

　　有机羧酸的分子式为R‑COOH，R为具有2至5个C原子并且被2至4个羟基取代的烃

　　在一个具体的示例中，以重量份数计，蚀刻液包括如下组分：10份～200份的无机

　　酸、5份～100份的氧化剂、1份～20份的铜缓蚀剂、10份～100份的助溶剂与480份～980份的

　　在一个具体的示例中，以重量份数计，蚀刻液包括如下组分：50份～150份的无机

　　酸、30份～80份的氧化剂、5份～20份的铜缓蚀剂、10份～100份的助溶剂与650份～910份的

　　在一个具体的示例中，每升蚀刻液包括水、无机酸10g～200g、氧化剂5g～100g、铜

　　在一个具体的示例中，每升蚀刻液包括水、无机酸50g～150g、氧化剂30g～80g、铜

　　可以理解地，在本发明中，铜缓蚀剂中，含有苯磺酰胺基团的化合物与有机羧酸的

　　优选地，铜缓蚀剂中，含有苯磺酰胺基团的化合物与有机羧酸的质量比为1:(0.5

　　在一个具体的示例中，含有苯磺酰胺基团的化合物选自4‑羟基苯磺酰胺、3‑氨基

　　在一个具体的示例中，有机羧酸选自2,2‑二羟基乙酸、3,3‑二羟基丙酸、2,3‑二羟

　　基丙酸、3,4‑二羟基丁酸、4,4‑二羟基丁酸、2,4‑二羟基丁酸、5,5‑二羟基戊酸、4,5‑二羟基

　　在一个具体的示例中，无机酸选自硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸与磷酸中的一种或多

　　在一个具体的示例中，氧化剂选自过硫酸钠、间氯过氧苯甲酸、过氧化氢、叔丁基

　　在一个具体的示例中，助溶剂选自1，2‑丙二醇、丙三醇、单乙醇胺、二乙醇胺与三

　　【】练习07高中英语外研版选择性必修三Unit4单项选择专项练习（词汇辨析）